RNDKOREA는

GENERAL

• Hot Pressing (HP)

  : 소재에 외압과 온도를 가해 밀도를 높이는powder compaction method 입니다.
  분말을 금형을 통해 압력을 가하고 전체시스템은 높은 온도로 유지 합니다.
  가능사이즈 : 1” – 18”

• Cold Pressing (CP)

  : HP와 달리 이 과정에서 가연성이 높은 물질에 필요할 수 있는 상온에서
  고압으로 파우더를 눌러줍니다.

• Hot Isostatic Pressing (HIP)

  : 고온에서 등압을 이용한 세라믹 재료의 농도를 위한 제조방법입니다.

• VIM-HP

  : 재료는 처음에는 Vacuum induction melting , E-beam, Arc melting 또는
  Atmospheric Melting으로 합성되고, 자연적인 이등변성이나 위상분리를
  제거하기 위해 가루로 분쇄한 다음 hot press 로 모양을 만듭니다.

CERAMICS

• Slip Casting

  : 세라믹 부품을 형상화하는데 사용되는 이공정은 liquid clay slip을 준비하고,
  plaster mold 안에 slip를 주조하고, 금형을 제거하고 주조물을 공기 건조시킵니다.

• Diffusion Sintering

  : Powdered components 섞어서 고온으로 유지되어 액체상태로
  들어가지 않고 화합물을 형성합니다.

METALS

• Vacuum Induction Melting (VIM)

  : 금속을 진공상태에서 전자기 유도에 의해 용해됩니다.

• Vacuum Arc Remelting (VAR)

  : 금속을 두개의 전극으로 배치되고 그사이에 진공상태에서 고전류가
  통화해 도가니 안에서 주조가 됩니다.

• Electron-Beam Melting

  : 소재를 전자빔 건을 열원으로 하여 주조 / 증발 지점 이상의 고온으로 가열합니다.

• Cold Crucible Induction Levitation Melting

  : 도가니 접촉없이 강력한 자기장 위치에 매달아 녹인다.

NANOSTRUCTURE

• Catalytic Chemical Vapor Deposition

  : 얽힌 CNT, 짧은 분산형 CNT, 정렬된 CNT, 기능화된 CNT와 같은 탄소 나노튜브(CNT) 다양한 내부 직경, 외부 직경, 길이, 기능화 및 순도가 가능하다.

• Coatings/Modifications

  : 소수성 PVP 또는 소수성 올레산 층은 용도에 따라 분산성과 호환성을 개선할 수 있다.

• Chemical Precipitation/Coprecipitation

  : 단금속 산화물, 다금속 산화물 및 희토류 산화물. 입자 크기가 평균 20-80nm 이상인 산화물, 최대 300-500nm

• Hydrothermal Method

  : 입자 크기가 평균 20-80nm 이상인 산화물, 최대 300-500nm

• Explosion

  : 다이아몬드 나노와더, 평균 입자 크기는 3-15 nm.

• Electro-Explosion

  : 금속 및 합금, 평균 입자 크기 60-100nm.

• Gas Jetting

  : 평균 입자 크기의 수십 나노미터에서 수백 나노미터의 약한 가루

• Laser Induced Chemical Vapor Deposition

  : Si, SiC 및 산화물(평균 입자 크기는 10nm, 50nm, 100nm 정도), 집적되지 않음.

• Low Temperature Physical Method

  : 오염이 없는 약한 분말, 미크론 및 미크론 이하의 평균 입자 크기.

• Mechanical Milling

  : 브리틀 파우더(평균 입자크기 20nm 이하)를 만들 수 있고, 골재 나노와 엉킨 탄소 나노튜브를 분해할 수 있으며, 나노구조 금속, 합금, 산화물과 탄화물을 농축할 수 있는 유연한 기술이다.

• Melt Solidification

  : 부피 형태의 비결정성 물질

• Microemulsions

  : 소량(5-10 nm)의 평균 입자 크기를 정밀하게 제어하는 산화물과 화합물

• Sol-Gel

  : 입자 크기 범위가 좁고, 집적된 나노기

• Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

  : 금속(평균 입자 크기 25nm, 60nm, 80nm, 120nm, 실리콘, 탄화물, 붕소 및 질소(평균 입자 크기 5nm, 10nm, 30nm, 60nm, 200nm, 300nm, 500nm), 순도 99% 또는 99.9%.

• Plasma Physical Vapor Deposition

  : 3,000 K 미만의 증기 온도, 그 결과 평균 입자 크기가 90-150nm가 된다. 3N, 4N, 5N 이상. 나노입자는 고체원소, 금속산화물, 탄화물, 질산염 등이 될 수 있으며, 우수한 전자성을 가진 나노입자에 특별히 초점을 맞춘다.

• Wet Chemistry

  : 금속 나노와더(W, Mo, Ta 등), 산화물과 탄화수화물 특정 단계에서 습식화학이 가능하다.

SPECIALTY

• Sol-Gel process

  : 재료과학에서 Sol-Gel process는 작은 분자로부터 고체 물질을 생산하는 방법이다.
  이 방법은 금속산화물, 특히 실리콘과 티타늄의 산화물을 만드는데 사용된다.
  이 과정에서 Monomer를 이산입자 또는 network polymer의 통합 network의
  전구체 역할을 하는 Colloidal solution으로 변환하는 것을 포함합니다.
  대표적인 전구체는 metal alkoxides 입니다.

• Direct Fluoridation Method (DFM)

  : HF 반응법에 비해 소재의 순도, 점성 및 일관성을 높이기 위해 Plasma phase
  reaction을 필요로 하는 특수 공정입니다. 그 다음 불소 확률론적 결함을 보완하기
  위해 불소 가스대기에서 2차 melting을 합니다.

• Liquid Phase Formulation (LPF)

  : 화합물에서 원히않는 원소를 정화하는데 사용되는 공정입니다. 예를 들어
  매우 낮은 불순물 프로파일하기 위해 HfO2 에서 Zr를 분리하고, Ta2O5에서 Fe를
  분리했다.

• High precision machining

  : Waterjet (수압가공), Lathes (선반가공), Mills (밀링가공), Grinding (연마가공) 등
  다양한 가공을 통해 고객이 원하는 사이즈 및 표면을 가공하여 제공합니다.

• 

  스퍼터링 타겟
  (sputtering target)

• 

  합금
  (alloy metal)

• 

  나노파우더
  (Nanopowder)

• 

  세라믹
  (Ceramic)

• 

  글라스
  (Glass)

스퍼터링 타겟합금나노파우더세라믹GlassQuartz